电注入效率（efficiency of electrical injection），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，注入电致发光器件有源层中的电子数与注入总电子数的比值。电致发光器件工作时，注入器件中的电子不一定能全部到达器件的有源层进行辐射发光，它们有可能被能级势垒阻挡而无法进入有源层，有可能在到达有源层前被载流子陷阱俘获，也有可能直接穿过有源层而无法形成激子。影响电注入过程的参数包括界面势垒（如欧姆接触、肖特基接触）、材料迁移率（材料半导体特性、晶体质量、掺杂等）、电子空穴均衡度、界面偶极效应等。研究者提出了多种模型来解释电注入机制，如势垒隧穿模型、界面偶极模型和化学反应模型等。研究方法包括稳态伏安特性、单载流子传输器件、时域或频域特性（如瞬态电流、阻抗谱）、温度相关电学特性（如研究热活性电荷行为）等。电注入效率直接关系到电致发光器件的内/外量子效率。通过降低能级势垒、减少俘获中心、平衡载流子浓度，可以有效提高电注入效率。