分子束外延方法是一种利用分子束流在晶体基片表面上生长单晶体或晶体薄膜的现代化技术方法。如果在晶体表面上生长出半导体薄膜和绝缘薄膜，那末利用这种极薄且具有多层结构的薄膜，就可制造出高速集成微电路。利用该技术方法，也可制备各种微波器件、半导体激光器等所需要的超晶格薄膜。该法的特点是：①应用的原子束或分子束源，可以是同一元素的原子，也可以是不同元素的原子;既可以是单一化合物的分子，又可以是多元化合物的分子，特别有利于生长多元化合物薄膜;②当分子束射到单晶基片上时，可以一个原子一个原子地进行生长和堆积，其薄膜厚度能达到单原子层的精度，有利于控制各种成分和厚度，制备出高质量的薄膜;③必须在真空中进行，现已达到的超高真空度为10-10乇，可生长出超纯材料薄膜;④在基片晶体表面上生成晶体的结晶取向与基片取向有关，因而这种加工方法，也叫分子束取向接长工艺。