沟道电荷注入

沟道电荷注入，在金属-氧化物-半导体（MOS）器件导通或关断的瞬间，沟道区内的电荷流入或流出MOS开关，改变对应节点的电压，引入误差的现象。对于分立器件，可采用互补型金属-氧化物-半导体（CMOS）结构减小沟道电荷注入的影响；对于电路级，可采用全差分结构，将电荷注入导致的误差作为共模干扰加以抑制。