成核生长机理

成核生长机理（nucleation growth mechanism）是理想晶面二金属电结晶过程的理论。此理沦认为，在理想平整的<111>面上，由于存在“生长点”，因此，Hk3F1体继续生Yl的前提是在晶面上出现新的晶核。晶核的形成是晶体生长过程的速率控制步骤.在未完成的理想晶面上，晶面的继续生长只能在少数占有最低能量位置的“生长点”或’生长线”上进行。金属离子在晶面上任一位置都可放电并形成“吸附原子”，然后通过扩散转移到“生长线”和“生长点”。