硅漂移室（silicon drift chamber;SDC），工学-核技术-〔核探测器和核电子学〕-核辐射探测器-核辐射探测，一种存储型位置灵敏半导体探测器。又称硅漂移探测器（SDD）。硅漂移室与传统的半导体探测器不同，核辐射产生的载流子不是马上漂向两极并在电极上产生感应信号，而是把电子存储在探测器内，并使之沿着与硅片平面大体平行的方向漂移。载流子的漂移时间与它产生的位置有关，所以从载流子漂移时间可以导出核辐射入射的位置信息。硅漂移室工作原理硅漂移室的工作原理是在一片N型硅片的两表面制备P+接触，形成两个耗尽层夹着一个中心未耗尽的区域，然后在硅片一面的边上制备一个N+接触（极）。当加上反向电压，硅片变为全耗尽。如图所示，硅片内部电势分布成抛物线形，沿中心平面电势最低。当电子在某处产生后就会落到位阱的谷中，然后沿电场的纵向分量向N+极漂移，通过测量漂移时间就可以得到位置信息，类似于气体漂移室。这种探测器最大的一个优点是电子在漂移很长的距离后到达一个尺寸很小的电极，所以其电容比一般半导体探测器小得多，这有利于提高能量分辨率。硅漂移室的电容很小，其相应的成形时间也很短，约100ns。