铝镓铟磷（aluminum gallium indium phosphide），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-四元化合物半导体，由二元化合物磷化铝（AlP）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）混合而成的四元化合物半导体固溶体。常用通式为（AlxGa1-x）yIn1-yP。当控制In的组分为0.5，即通式为（AlxGa1-x）0.5In0.5P时，对任意的值，材料都与砷化镓（GaAs）晶格匹配。与GaAs衬底晶格匹配的（AlxGa1-x）0.5In0.5P四元化合物材料在直接带隙的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物中有较大的禁带宽度（当＜0.53时为直接带隙材料，禁带宽度1.91～2.23电子伏），填补了直接带隙半导体材料在可见光波段的空白。对于无序的（AlxGa1-x）0.5In0.5P材料，在室温下（300开），能带的带隙与组分的关系表示为： 能带的带隙与组分的关系表示为： 随Al组分的增加，当=0.53时，能带和能带相交，（AlxGa1-x）0.5In0.5P材料从直接带隙材料转变为间接带隙材料。