铟镓砷磷（indium gallium arsenide phosphide），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-四元化合物半导体，由铟、镓、砷、磷四种元素构成的四元化合物半导体材料。分子式为InxGa1-xAsyP1-y。其带隙可通过改变合金摩尔比例x和y来控制，主要应用于工作在1.3微米和1.55微米波段的半导体光电器件，例如半导体激光器、探测器和调制器等。铟镓砷磷可与磷化铟、砷化镓和硒化锌达到晶格匹配，匹配条件为（0≤y≤1）：磷化铟衬底时，x=0.1894y/（0.4184-0.013y）≈0.47y；砷化镓衬底时x=（1.00+y）/2.08；硒化锌衬底时，x=（1.06+y）/2.06 。一般所选择的衬底材料为磷化铟，铟镓砷磷可在磷化铟衬底上单晶外延生长。磷化铟基的光子集成芯片（PIC）主要采用铟镓砷磷来构建量子阱、波导或其他光子结构。