铟镓磷（indium gallium phosphide），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-三元化合物半导体，由磷化铟（InP）和磷化镓（GaP）形成的替位固溶体半导体材料。化学式为InxGa1-xP，其中x可取0至1之间的任意组分，相应地，常温时其禁带宽度从2.26电子伏（间接带隙）到1.34电子伏（直接带隙）连续可调。铟镓磷单晶的晶格为立方晶系的闪锌矿结构。铟镓磷的制备方法主要有金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）等。MOCVD方法是在600℃～700℃时，在砷化镓GaAs衬底上由三甲基铟In(CH3)3、三甲基镓Ga(CH3)3与磷化氢PH3反应形成铟镓磷，反应方程式： Inx(CH3)3＋Ga（1-x）(CH3)3＋PH3＝InxGa（1-x）P＋3CH4。应用最多的组分配比为In0.51Ga0.49P，其晶格常数与砷化镓的匹配，其量子阱结构被用在红光发光二极管和激光器中，在显示照明指示等领域广泛应用。铟镓磷也大量用于近红外发光材料中的势垒，如用于800～900纳米大功率半导体激光器材料中，具有抗氧化能力强、寿命长等优点。