高纯钽（high purity tantalum），工学-材料科学与工程-金属-有色金属材料-难熔金属-钽，材料杂质元素总浓度不大于0.01wt%的金属钽。高纯钽是一种新型结构和功能材料。高纯钽的制备工艺过程采用钽烧结条经多次高真空电子束熔炼、电子束悬浮区域熔炼技术提纯即可获得高纯钽铸锭，再经塑性加工制得各类高纯钽型材。采用电子束悬浮区域熔炼法制备的高纯钽经残余氧分压力很低的真空退火（10-2帕，1800℃/8小时）或高真空退火（10-6帕，2700～3000℃/6～10小时）后，其残余电阻率（RRR）值为27000。金属钽的纯度在1200～1500℃内可通过固相电迁移法进一步提高。残余气体压力值为（5～50）×10-5帕时，电迁移法能大幅降低钽中杂质元素碳浓度。此外，氢气等离子体电弧熔炼也可实现金属钽的有效提纯。高纯钽中杂质元素浓度的分析方法等与高纯钨相同。高纯钽主要用于高性能电容器、超大集成电路（互连材料、电阻层、电容层材料）、微电子行业用各类溅射靶材、生物工程膜材料、光学功能件（高纯增感屏材料）、发射材料等。高纯超薄钽及其合金箔材（厚度不超过5微米）广泛应用于电子设备领域。