铝铟磷（aluminum indium phosphide），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-三元化合物半导体，由磷化铝（AlP）和磷化铟（InP）形成的替位固溶体半导体材料。化学式为AlxIn1-xP，x可取0至1之间的任意组分，常温时其禁带宽度从1.35～2.52电子伏连续可调。铝铟磷单晶晶格为立方晶系的闪锌矿结构，间接带隙材料。与砷化镓（GaAs）晶格匹配的Al0.48In0.52P禁带宽度为2.35电子伏。AlxIn1-xP与GayIn1-yP（镓铟磷）形成的四元固溶体（AlxGa1-x）0.5In0.5P是与GaAs晶格常数匹配的直接带隙材料，直接带隙范围在1.9～2.26电子伏，对应的波长覆盖红光到黄绿光（560～650纳米）。直接带隙的禁带宽度随组分的关系式可写为（电子伏）。间接带隙的禁带宽度随组分的关系式可写为（电子伏）。室温下，直接带隙与间接带隙材料禁带宽度相交对应的Al组分为0.53，相应的波长为555纳米。