应变量子阱

通常构成量子阱的二种材料的晶格常数要经过特殊选择调整，以保证它们之间的晶格匹配，避免在其交界面区产生大量的失配位错，影响界面带结构和电子的输运，它大大限制了量子阱结构材料选择的自由度。应变量子阱就是利用晶格不匹配的两种材料，用单原子层外延技术生长在一起。由于材料物理特性的优化，使得半导体发光器件的性能得到革命性的巨大改善。