隧穿磁阻率表示隧道磁电阻效应的电阻大小。铁磁薄片的磁化方向可以在外磁场的控制下被独立的切换。如果极化方向平行，那么电子隧穿过绝缘层的可能性会更大，其宏观表现为电阻小；如果极化方向反平行，那么电子隧穿过绝缘层的可能性较小，其宏观表现是电阻极大。因此，这种结可以在两种电阻状态中切换，即高阻态和低阻态。早在1975年，Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道结（MagneticTunnelJunctions，MTJs）（MTJs的一般结构为铁磁层/非磁绝缘层/铁磁层（FM/I/FM）的三明治结构）中观察到了TMR效应。但是，这一发现当时并没有引起人们的重视。在这之后的十几年内，TMR效应的研究进展十分缓慢（TMR效应产生机理是自旋相关的隧穿效应）。