位错应变能

位错应变能是指位错在晶体中引起畸变使晶体的内能增加的能量。位错在周围晶体中引起畸变，是晶体产生的畸变能。定义位错在晶体中引起畸变使晶体的内能增加的>能量。位错在周围晶体中引起畸变，是晶体产生的畸变能 。位错位错又可称为差排(英语:dislocation)，在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷)。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。"位错"这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉(Vito Volterra)于1905年提出。形式理想位错主要有两种形式:刃位错(edge dislocations)和 螺旋位错(screw dislocations)。混合位错(mixed dislocations)兼有前面两者的特征。数学上，位错属于一种拓扑缺陷，有时称为"孤立子"或"孤子"。这一理论可以解释实际晶体中位错的行为:可以在晶体中移动位置，但自身的种类和特征在移动中保持不变;方向(伯