两性杂质，在半导体中既起施主作用、又起受主作用的杂质，就称为两性杂质（掺杂剂）。例如GaAs中的Si，就是两性掺杂剂，当它取代Ga原子时即提供了一个附加的电子，则为施主杂质；当它取代As原子时即缺少了一个电子，则为受主杂质。一般，只要GaAs中的Si浓度不是特别大，Si都是起施主作用。由于相图理论在晶体生长等方面的重要作用而受到了广泛重视，研究了二元，三元甚至四元相图理论，并成功地用于计算化合物半导体生长及其渗杂情况，如III-v族化合物GaAs及掺人各种lI，vI，族杂质的情况已有不少报道·但由于Iv族元素在III-v族化合物中的复杂性，例如lV族元素在III-v族化合物中既可以占III族元素的位置又可以占v族元素的位置，起两种杂质的作用，即可成为施丰又可成为受主，而且两种占位情况的Iv族元素还可以相互转变，因此这是一个赝四元系统，但又比普通的四元系统复杂。因此有关这种情况的报道比较少。