多量子阱（multiple quantum well）是指多个量子阱组合在一起的系统。就材料结构和生长过程而言，多量子阱和超晶格没有实质差别，仅在于超晶格势垒层比较薄，势阱之间的耦合较强，形成微带；而多量子阱之间的势垒层厚，基本无隧穿耦合，也不形成微带。多量子阱结构主要应用于其光学特性。在研制半导体量子阱激光器时，为了提高激射效率，有源区可用多量子阱。但量子阱数目太多，又会降低注入效率，增大损耗，所以有一优化设计问题。例如用InGaAs/InGaAsP多量子阱置于台阶状折射率变化的波导中，可得到高输出功率、波长为1.3微米和1.5微米的激光器。