IGBT锁拴效应IGBT在结构上隐含了N+PN-P+晶闸管，在发射极一侧（MOSFET源极）空穴电流流过短路电极的电压降一旦在0.5V以上时，就会有部分空穴流经PN+结，造成大量电子注入到P区并进入长基区，从而导致等效晶闸管的开通触发。这种触发现象称之为锁拴效应（latch up）。IGBT锁拴效应IGBT在结构上隐含了N+PN-P+晶闸管。在发射极一侧（MOSFET源极）空穴电流流过短路电极的电压降一旦在0.5V以上时，就会有部分空穴流经PN+结，造成大量电子注入到P区并进入长基区，从而导致等效晶闸管的开通触发。这种触发现象称之为锁拴效应（latch up）。