过热点是一种冶金、电子工程的专业术语。用深能级瞬态谱(DLTS)和液晶显示等技术分析了软特性硅功率器件体内“过热点”的微观结构及形成原因。表明：在高温扩散工艺中，较大温度梯度产生的局部热应力场，造成重金属杂质择优淀积，使晶体缺陷电激活，是产生体内“过热点”的根源。根据热加速场发射效应解释了“过热点”对硅功率器件电学性能的影响。提出一种能够弱化片上网络通信过程中过热点的方法。过热点会导致通信延时和router的功耗增大，在NoC中需要尽可能的减少过热点的出现。通过增加通信量较大的IP核所连接的router数目和设计新的通信路由算法减少过热点的发生。在4×4Mesh结构上仿真了所提出的方案，统计了数据传输延时和单个router的最大交换次数。实验结果表明，这种方法能够有效的减小数据传输延时和片上router的平均功耗，并且能够有效的降低NoC中过热点出现的可能性。