图示仪是一种用于测量各种半导体管特性曲线和静态参数的测量仪器，具备外形轻巧，操作简单，性能稳定可靠，性价比较高的特点，能满足部分器件的测试要求。适合工厂生产线、教学实验和电子设备等领域使用。图示仪的工作原理 测量原理并不是用锯齿波、阶梯波形式测量，而是像人工测量那样，逐点逐点静态测量，再将数据点连起来即曲线。只不过是用电脑代替人手，加快测量速度、并且在电脑上显示出来而已。一般兼顾测量P型和N型的电路是如下电路，用双极性电源供电。被测管的发射极是地，集电极、基极接可变电压发生器，为兼顾测量P型和N型，所以集电极、基极的可变电压发生器需要用OCL放大器制作，例如由正负20V供电，那么被测管CE两端电压多只有20V，觉得利用率较低另外能够测量双极性电压的AD转换器较少，价格远远比单极性的AD转换器贵得多，但单极性AD转换器测量负极性电压时，需要先用运放乘以-1，进行极性变换。DAC也是一样，大部分DAC都是输出单极性的电压，也要变成双极性才能驱动被测管。所以加起来的电路就复杂得多了。而本系统采用浮动发射极驱动方式，被测管E极不是接地，而是接到一个可控电压源上。测量N型管时，设置接E极的电压源为对地0V，驱动被测管C极的是对地0～40V，B极对地是0～40V。那么得到的效果就是被测管Vce两端可以达到40V。测量P型管时，设置接E极的电压源为高的电源电压40V，被测管C极的电压为40～0V，B极也是40～0V，那么得到的效果就是被测管Vce两端仍旧高可以达到-40V。测量P-JFET管时，设置接E极的电压源为30V，被测管C的电压为30～0V，栅极B的电压为30~40V,那么得到的效果就是DS之间电压0～-30V，GS之间电压0～+10V测量N-JFET也如此类推。用这种浮动发射极驱动方式，只需一个单极性的40V电源，要测量的电压也全部是对地单极性的，DAC也是单极性的，因此硬件电