溶剂蚀刻是靠溶剂的溶解除去整个分子，由于晶区和非晶区溶解速度的差别，或其他不同相之间溶解速度的差别而增加反差。但此法不值得推荐，因为溶剂很易使聚合物溶胀变形，被溶解的高分子还可能会再沉淀于聚合物表面而破坏原有结构。蚀刻蚀刻(etching)，又称>刻蚀，是增加电镜所能提供的结构信息的另一重要方法。蚀刻的目的是除去一部分结构，突出所感兴趣的结构。蚀刻后的表面可用于SEM观察，或做成复型用于TEM观察。主要的蚀刻方法有三种:溶剂蚀刻、酸蚀刻和等离子/离子蚀刻。酸蚀刻通常指用氧化性的强酸选择氧化某一相，氧化的结果是使高分子断为碎片而除去，该法能得到较为精细的表面结构。等离子或离子蚀刻是用等离子或离子带电体攻击聚合物表面，移去表面的原子或分子，由于蚀去速度的差异而产生相之间的反差。该法几乎可适用所有高分子，不存在选择试剂的困难，但需用特殊设备。蚀刻是所有制样方法中最容易产生假象的一种，例如等离子/离子蚀刻中可能出现台阶形、锥形圆洞等假象结构，溶剂蚀刻中凝胶状的表面，以及酸蚀刻中小分子结晶的沉积等假象使图像解释产生困难，因而蚀刻必须与其他方法互相补充才能揭示高分子结构的真相。