当与>集电极->发射极电压对应的空间电荷区电场增大时，在空间电荷区内将发生载流子的碰撞电离和雪崩倍增效应。当集电极-发射极电压增大到>雪崩击穿电压时，进入雪崩击穿状态，通常这一击穿称为器件的正向击穿。简介一般情况下，正向电压1V左右就可以"击穿"二极管，此时称为正向击穿，不过我们称之为不>导通。工作于正向偏置的PN结，当通过的电流过大时，将会使它的功率损耗过大而烧坏，但由于正向偏置的PN结两端电压很低(>锗PN结约为0.2V左右，>硅PN结约为0.7V左右)，故当加在PN结两端的正向电压过大时会使PN结发生击穿，称为正向击穿。而工作于反向偏置的PN结，当反偏电压过高时，将会使PN结击穿，如击穿后又未限制流过它的反向击穿电流，将会使击穿成为永久性的、不可逆的击穿，从而造成其彻底损坏。 产生原因当栅极-发射极并接零点位、集电极接正电位时，处于截止状态。由于结两边的掺杂在外延层一边是均匀的，而在p阱的一边为离子注入形成的高斯分布，而且掺杂浓度比外延层高，所以，据PN结理论，随着集电极-发射极电压的增大，结>耗尽区(空间电荷区)主要向外延层一边扩展。结空间电