这是一种半导体晶体管设计方案,也是决定半导体工艺制程的技术方案,名叫鳍式场效应晶体管,英文缩写
。
这项设计的提出者为华人科学家胡正明教授,他在1998-2004年发表了一系列关于这项设计的论文,其目的是为了接替当时即将到达极限20nm的Bulk CMOS物理结构,为摩尔定律续命。
这项设计几乎是现在主流的半导体制造商普遍选择的技术方案,除了从AMD中被剥离出来的格罗方德选择了另一个替代方案,也是由胡正明教授提出的FD-SOI晶体管技术。
不过,这项半导体工艺技术的极限大概是在5-7nm,而台积电早在2020年年初就已经开始量产5nm芯片了,也就是说这种设计也已经到达了它的极限。
现在,世界的各大半导体制造公司正在将工艺技术转向另一项工艺技术,这又是后话了。