异质结半导体激光器（heterojunction laser diode），工学-光学工程-激光器与激光技术-边发射半导体激光器，由两种基本物理参数（如禁带宽度、介电常数、折射率、电子亲和势、功函数等）不同的半导体单晶材料构成的PN结二极管激光器。1963年，H.克勒默（Herbert Kroemer，美国，1928～）和苏联科学院的Z.I.阿尔费罗夫（Zhores Ivanovich Alferov，苏联，1930～）提出将一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙的半导体材料之间形成异质结构激光器。1967年，美国国际商业机器公司成功用液相外延的方法在砷化镓（GaAs）上生长了铝镓砷（AlGaAs）。1969年，美国贝尔实验室成功研制铝镓砷及砷化镓（AlGaAs/GaAs）单异质结激光器，半导体激光器进入了单异质结注入型半导体激光器发展阶段。1970年，苏联科学院成功研制将P型砷化镓（P-GaAs）半导体夹在N型铝镓砷（N-AlxGa1-xAs）和P型铝镓砷（P-AlxGa1-xAs）之间的双异质结构半导体激光器。