多孔性硅氧化隔离

多孔性硅氧化隔离（isolation by oxidized porous silicon）简称IOPS，是用多孔性处理和热氧化两项工艺在硅表面上形成电绝缘层的方法。这种方法克服了平面法、局部氧化隔离和空气隔离等方法在工艺上的困难，其特点是不需要高温或长时间的热处理就能形成较厚的绝缘层。集成电路中最常使用的隔离技术仍是PN结隔离。这种方法是利用反向偏压PN结来实现元件之间的隔离，虽 然它是用通常杂质扩散技术就容易完成的方法，但是这种方法对集成电路的超高速化，超集成化具有相当致命的缺点。