可变电阻式存储器（英语：Resistive Random Access Memory，缩写为RRAM 或ReRAM），是一种新型的非易失性存储器，类似的技术还有CBRAM与相变化内存。可变电阻式存储器通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。 其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，这简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。 可变电阻式存储器的优点在于消耗电力较低，蔡少棠认为，可变电阻式内存将会是一种忆阻器的形式。非易失性存储器（英语：non-volatile memory，缩写为NVM）是指当电流关掉后，所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中，依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。