雪崩型红外探测器（avalanche infrared detector），工学-光学工程-光学传输-红外光学-红外探测器-光子探测器，利用光生载流子在PN结耗尽区的强电场中产生雪崩倍增效应来探测红外辐射的器件。又称雪崩光电二极管（APD）。雪崩光电二极管具有内部增益和放大的作用，一个光子可以产生几十到几百对光生电子-空穴对，从而能够在器件内部产生很大的增益。雪崩光电二极度管工作在反向偏压下，反向偏压越高，耗尽层当中的电场强度也就越大。当耗尽层中的电场强度达到一定程度时（材料不同，电场大小也不一样，如：Si-APD为105V/cm），耗尽层中的光生电子-空穴对就会被电场加速，而获得巨大的动能。它们与晶格发生碰撞时，就会产生新的二次电离的光生电子-空穴对，新的电子-空穴对又会在电场的作用下获得足够的动能，再一次与晶格碰撞又产生更多的光生电子-空穴对，如此下去，形成了所谓的“雪崩”倍增，使信号电流放大。与光电倍增管相比，APD具有量子效率高、功耗低、工作频谱范围大、体积小、工作电压较低等优点，但是同时也有增益低、噪声大，外围控制电路较复杂等缺点。