纳秒脉冲等离子体

纳秒脉冲等离子体（nanosecond pulse plasma），工学-电气工程-﹝电工新技术﹞-放电等离子体-﹝等离子体驱动形式﹞-脉冲等离子体，采用上升沿和脉宽均在纳秒（10-12）级别的窄脉冲激励的等离子体。纳秒脉冲等离子体通常在较高过电压倍数下产生，过电压倍数大于10，其纳秒量级的超过上升沿能够产生快速电离波，它可以维持的约合场强，达到逃逸击穿的阈值（空气中约2000托），因此电子能量显著增大，电子密度涵盖范围较广，可以达到1012～1016厘米-3。快速上升沿能够提供快速电离气体，流注发展时间小于流注理论中的光电离时间，从而获得均匀的放电。与常规的交流、直流放电相比，脉冲等离子体具有一些不同寻常的现象，如击穿电压高、流注发展不充分、存在高能电子、放电通道随机性高等，使许多通常在此温度下无法反应或需要极其苛刻的条件才能进行的反应容易发生，同时反应体系接近室温。因此脉冲等离子体在表面处理、生物医学杀菌消毒、生物化学反应、航空器气流控制和辅助燃烧等领域具有广泛的应用。纳秒脉冲放电时，流注理论不再适用。