半导体激光器单管

半导体激光器单管（semiconductor laser single emitter），工学-光学工程-激光器与激光技术-边发射半导体激光器-【半导体激光器封装形式】，国际上大功率半导体激光器的封装形式有单管、线阵、迭阵等。半导体激光器单管，具有转换效率高、光束质量好、散热性能好等优点，它能够作为高功率光纤激光器、光纤放大器的高效泵浦源，潜在的应用领域非常广泛。图给出了半导体激光器单管的基本结构，整个芯片的宽度一般为400～600μm，腔长一般为1000～4000μm。远场快轴（垂直于p-n结）方向发光区厚度很小，也就在1μm左右；慢轴（平行于p-n结）方向，典型的发光区宽度尺寸为50μm-200μm。每个激光器是一个独立的单元，由于不受到热串扰的影响，所以具有良好的散热性，寿命能达到200000小时；商用的9xxnm的单管半导体激光器功率最高为15W。由于转换效率的原因，在使用半导体激光器过程中会产生热，针对单管，根据功率的大小，散热分为风冷和水冷两种形式。