硅锂漂移探测器（lithium-drifted silicon detector），工学-核技术-〔核探测器和核电子学〕-核辐射探测器-核辐射探测，在P型硅（Si）单晶片采用锂（Li）漂移方法制备的PIN结半导体探测器。为了获得较厚的硅探测器，可以采用“锂漂移”方法形成一个补偿区，该区具有与本征材料相类似的性质，所以也称为本征区或I区。在补偿区中受主杂质与施主杂质达到精确的平衡，厚度可以大于10毫米。本征区两面加上（非注入）电极后，就形成探测器的灵敏区，厚度从几毫米到十几毫米。锂漂移探测器主要有硅锂漂移〔Si(Li)〕探测器和锗锂漂移〔Ge(Li)〕探测器。1980年后，锗锂漂移探测器已被高纯锗探测器（HPGe探测器）取代，但在低能γ射线或X射线探测中硅锂漂移探测器仍然起着重要作用。Si(Li)和Ge(Li)探测器均由P型硅或锗制成。漂移完成后，锂开始漂移的表面，存在过量的锂，即n+层。与之相对未补偿的一面蒸发上金属层或其他薄的p+接触（P型区）。Si(Li)和Ge(Li)探测器一般均为平面型，在I区内有效电荷密度近于零，电场强度E是均匀的。V是外加电压，d是I区厚度。