硅基光电探测器（silicon-based photodetector），工学-光学工程-光学应用-光纤与光通信-硅基光电探测器，利用内光电效应进行光电探测，通过吸收光子产生电子空穴对，从而在外电路产生光电流的光电子器件。由半导体材料制作的光电二极管，其核心部分是P-N结。P型半导体中空穴浓度高于电子浓度，N型半导体中电子浓度高于空穴浓度。当两者结合时，P区的空穴扩散到N区后留下电离受主使P区带负电荷，N区的电子扩散到P区后留下电离施主使N区带正电荷，电荷堆积在P-N结两侧形成一方向由N指向P的自建电场E。P区电子和N区空穴在自建电场作用下分别向N区和P区作漂移运动，同时P-N结的自建电场会阻止电子和空穴进一步向对方扩散而达到平衡，于是在P-N结区形成耗尽层。少数载流子漂移难以形成足够电流，但存在外加光场时会产生大量电子和空穴对，之后在内建电场作用下，电子空穴对分离并作漂移运动，可形成较强光电流。根据结构不同，硅基光电探测器分为：①P-I-N光电探测器，在光电探测器的P区和N区加入一层本征层，由于本征层的加入使得耗尽区的宽度大大提高，进而提高P-I-N光电探测器的性能。