砷化物材料体系（group III-arsenide），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，III族砷化物包括砷化镓、砷化铝、砷化铟及其合金材料。InAs的带隙太窄，为0.39eV，主要应用在红外波段，因而通常不在可见光发光器件方面应用。对于可见光发光材料，通常只讨论砷化镓、砷化铝及其合金，化学式分别为GaAs、AlAs及及AlxGa1-xAs（简写为AlGaAs）。AlAs和GaAs以及它们的合金AlGaAs都是立方闪锌矿型晶格。GaAs禁带宽度是1.424eV，直接带隙半导体材料，热导率为46W/mK，熔点1238℃，化学性质稳定。GaAs的施主掺杂包括IV族元素和VI族元素，如Si、Se、S和Ge等，然而，需要注意的是Si既可以代替Ga位形成施主，也可以代替As位，形成受主态。GaAs受主掺杂主要包括Zn、Mg等。GaAs具有优异的电学性能，如电子和空穴的迁移率分别可达8500和400cm2/s·V，薄膜电导率低。GaAs单晶材料制备工艺成熟，晶体质量高，缺陷少，理论上具有很好的量子效率。