氢化物气息外延（hydride vapor phase epitaxy; HVPE），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，氢化物气相外延方法是一种化学方法，利用Ⅲ族元素的氯化物和V族元素的氢化物在高温的衬底表面进行反应来制备薄膜。以制备GaAsP为例，此方法利用GaCl3和AsH3及PH3反应而开展。系统的示意图如图所示。一般情况下，HVPE系统包括两个温区，即源区和生长区。源区的温度一般在600～850℃，在此温度下，液态的金属Ga和氯化氢(HCl)气体可反应生成GaCl。GaCl被大流量的载气（N2、Ar或者H2等）输运到生长区。生长区的温度一般控制在600～900℃之间，GaCl和通入的AsH3及PH3在衬底表面外延，反应生成GaAsP。如果要制备pn结，还需要控制通入掺杂气源，如n型掺杂源硅烷SiH4、二乙基碲Te(C2H5)2，p型掺杂源如二乙基锌Zn(C2H5)2等实现掺杂。源区和生长区发生的化学反应如下： 其中，，和分别表示液、气和固相。