超浅结离子注入

超浅结离子注入（ultra-shallow junction ion implantation），工学-核技术-〔纳米科学中核技术〕，结深在100纳米左右或者低于100纳米的离子注入。超浅结往往可以使器件获得更窄的栅极宽度，更薄的电介质厚度和更浅的结深。用于超浅结离子注入的离子比用于一般离子注入的离子拥有更低的能量和更大的束流，超浅结的获得需要严格抑制离子注入过程中的沟道效应以及快速退火过程中的杂质再扩散过程。对单晶材料的轴沟道和面沟道而言，由于散射截面小，注入离子由于沟道效应可以获得很深的穿透深度，带来大结深。为了尽可能避免沟道效应对结深的影响，离子束在注入固体材料时，必须偏离材料沟道方向一定角度。低能量下离子注入时，可以在很浅的范围内形成不激活的浓度分布，然后通过退火激活杂质。在这个激活过程中，伴随着杂质的再扩散，很容易扩大结深。所以，要得到超浅结，必须严格控制快速退火过程中的杂质再扩散过程。