电流崩塌效应（current collapse effect），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔基本理论〕，电流输出能力下降或者输出功率严重压缩的现象。是Ⅲ族氮化物半导体高电子迁移率晶体管特有的一种物理现象。Ⅲ族氮化物半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）一般是基于AlGaN/GaN（势垒层/沟道层）异质结构体系制备的。AlGaN/GaN异质结间通过自发和压电极化会诱导出高密度高迁移率的二维电子气（2DEG），如图所示。因此Ⅲ族氮化物HEMT器件具有很高的电流输出能力和射频性能，广泛应用于微波功率放大器和电力电子器件。Ⅲ族氮化物HEMT外延衬底一般包括蓝宝石、碳化硅和硅等。由于Ⅲ族氮化物与外延衬底间存在较大的晶格失配和热失配，Ⅲ族氮化物外延层中一般存在大量的线位错和点缺陷，同时材料表面态也明显高于硅、砷化镓等半导体材料。Ⅲ族氮化物HEMT属于晶体管结构，包含源极、栅极和漏极。它在射频放大和电力电子开关应用中，一般会经历关态、高漏极偏置工作状态。