总剂量效应（total dose radiation effect），工学-航空宇航科学与技术-航天-航天综合电子技术-航天微电子-辐照效应，高能辐射粒子或射线在器件内部通过电离产生氧化层陷阱电荷和界面引起器件电性能退化，甚至失效的现象。总剂量效应主要影响的是氧化层和界面区域，它将造成晶体管的阈值电压漂移、跨导减小、沟道和结漏流增加、场氧边缘漏流增加，甚至栅氧击穿等。总剂量效应是一种的辐照损伤累积效应，它与半导体材料所吸收的能量有关。通常用剂量来描述吸收多少能量。决定半导体材料吸收能量的因素包括辐照的光子和粒子的质量和能量，以及材料的原子序数和质量。每1千克物质吸收1焦耳能量为1戈瑞（Gy）。一般常用单位还有拉德（rad），1Gy=100rad。对于不同的材料，其能量吸收能力的情况不同，所以在使用剂量单位时需要标清楚材料，如Gy(Si)或Gy(SiO2)等。经过一定剂量的积累，辐照在半导体器件内部产生缺陷，从而对器件性能产生影响。例如，对于双极器件来说，γ射线会在氧化层内感生氧化物陷阱电荷，在硅/二氧化硅（Si/SiO2）界面感生界面态，从而对双极器件的性能产生影响。