单粒子翻转（single event upset；SEU），工学-航空宇航科学与技术-航天-航天综合电子技术-航天微电子-集成电路-单粒子翻转，单个高能粒子射入半导体器件灵敏区，使器件逻辑状态翻转的现象。高能粒子入射到器件内部产生大量电荷，如果粒子径迹上产生的电荷被敏感节点收集且被收集的电荷大于电路状态翻转所需临界电荷，就会形成瞬态电流，触发逻辑电路，引起器件内部逻辑位的存储信息由“1”变为“0”或由“0”变为“1”，导致存储电路的逻辑状态发生翻转。停止辐照后该现象可以通过重新写入数据得以消除，因此单粒子翻转又称为“软错误”。空间中的高能重粒子和质子均能产生单粒子翻转，但二者机理有所区别：①重粒子能量较高，能够在器件灵敏区中沉积足够多的能量，所淀积的能量通过直接电离产生足够多的净电荷，这些净电荷被收集，引起逻辑电路触发，造成逻辑位存储信息翻转。②高能质子本身不容易产生单粒子翻转，但高能质子会在灵敏区附近与器件材料的原子发生核反应，产生次级粒子，次级粒子又会在灵敏区内通过电离作用产生足够多的净电荷，引起逻辑位存储信息翻转。