载流子溢出（carriers overflow），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，载流子溢出，往往是发生在大电流注入情况下的。在小电流注入下，费米面高度低于势垒高度，但随着注入电流加大，有源层的载流子浓度增大，费米能级升高，如果升高到超过势垒的高度，势阱中的能级全部充满。如果继续增大注入电流，并不会提高势阱中的载流子密度，而是注入的载流子直接越过势阱，到达p区的势垒层。此时，由势阱导致的载流子复合发光呈现饱和的趋势。在LED中，可以部分解释LED的发光效随着注入电流加大，效率下降的现象。载流子溢出，与注入电流大小及势阱的厚度有关，为克服载流子溢出，LED往往采用多量子阱结构，加大势阱的容量。