载流子溢出(carriers overflow),工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源,载流子溢出,往往是发生在大电流注入情况下的。在小电流注入下,费米面高度低于势垒高度,但随着注入电流加大,有源层的载流子浓度增大,费米能级升高,如果升高到超过势垒的高度,势阱中的能级全部充满。如果继续增大注入电流,并不会提高势阱中的载流子密度,而是注入的载流子直接越过势阱,到达p区的势垒层。此时,由势阱导致的载流子复合发光呈现饱和的趋势。在LED中,可以部分解释LED的发光效随着注入电流加大,效率下降的现象。载流子溢出,与注入电流大小及势阱的厚度有关,为克服载流子溢出,LED往往采用多量子阱结构,加大势阱的容量。