中子嬗变掺杂（NTD）是采用中子辐照的办法来对材料进行掺杂的一种技术，其最大优点就是掺入的杂质浓度分布非常均匀。掺杂剂的完全均匀分布，且在掺杂剂浓度的最大值和最小值之间不存在任何差异，可望获得最佳的器件性能。此外，良好的掺杂重复性对于制造高能设备中的高压器件也非常重要，这些高能设备中需要大量使用具有相同性能的器件。用中子照射半导体材料使其部分原子俘获中子后衰变变成另一种所需的原子(掺杂剂)而实现掺杂的过程。纯P型单晶硅材料在热中子照射下，发生核反应，原始单晶硅中由于出现衰变产物31P而实现磷掺杂，从而获得高阻N型单晶硅材料。中子嬗变掺杂的单晶硅材料最大的特点是，电阻率均匀性(包括断面均匀性)好，不均匀度可小于5%