缺陷能级（defect energy level），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体杂质缺陷，半导体中，缺陷在能带带隙内引起的附加局域态（或束缚态）能级。半导体中的主要缺陷包括点缺陷（空位、间隙原子、反结构缺陷、色心等）和位错。①点缺陷能级，在一定温度下，晶格原子中有一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对它的束缚，挤入晶格原子间形成间隙原子，而原来的位置便成为空位。间隙原子和空位一方面不断产生，同时两者又不断复合而使缺陷消失。例如，硅、锗晶体中，每个处于晶格隙的原子有4个未形成共价键的电子，可表现出施主作用；而空位最邻近4个原子，每个原子有一个不成对的电子，成为不饱和的共价键，这些键倾向于接受电子，因此空位表现出受主作用。这些缺陷都在禁带中引入孤立能级。化合物半导体中的点缺陷形态比元素半导体中的更复杂。例如，在Ⅲ-Ⅴ族化合物中，空位和间隙原子可以是Ⅲ族元素和Ⅴ族元素，化合物半导体的成分偏离正常的化学比也会形成反结构点缺陷。此外，各种缺陷又能相互作用形成复合体，从而出现各种缺陷能级。②位错能级，在半导体中形成的深能级。位错是一种线缺陷，有刃型位错和螺旋位错。