纳米掩膜（nano mask），工学-材料科学与工程-纳米材料，利用无机纳米材料及无机-有机纳米复合图形材料制备的纳米图形化掩膜。可实现纳米尺度的图形结构制备。纳米掩膜的研究内容包括纳米材料的图形化研究，纳米材料的表面修饰及在有机高分子中的均匀分散和图形化等方面。为了实现纳米图形转移工艺，需要有效控制纳米材料大面积均匀有序排布，以制作多样化的纳米掩膜。之后利用刻蚀或者气相沉积技术，在掩膜中空处得到预置的图形结构。纳米掩膜的研究重点集中在纳米岛、纳米锥、纳米柱、纳米栅等图形加工方法，特别是基于无机纳米材料自组装掩膜的纳米图形排布和转移加工方法。其利用自组装、光刻或者纳米压印等技术，通过准确的工艺控制，将图形转移到新的基底上。例如，纳米压印是先利用等离子体增强化学气相沉积法在基底上沉积50纳米厚度的二氧化硅薄膜，再旋涂合适的光刻胶，然后将硬模板的图形热压到覆盖有光刻胶的基底上。脱模后用等离子体清洗凹坑处残胶，暴露出基底上的二氧化硅，再利用干法刻蚀或者湿法刻蚀将图形转移到基底上。同理，可以先利用牺牲层进行图形转移，在镂空处沉积无机材料之后去除牺牲层，实现图形向基底的转移。