阻变效应（resistive switching and memristive effects），理学-物理学-凝聚态物理学-电介质物理学-介电相关的铁性，介电材料在外场作用下可往复循环切换高低电阻态的效应，及依此效应构建有记忆功能的非线性电阻效应。介电材料的电阻可在电场（或电流）作用下产生高低电阻态相切换，去掉电场后还能保持所产生的高低电阻态并可往复循环切换，即阻变效应。通常阻变结构为金属/介电层/金属的电容结构，这种简单结构可用于建构新型非易失的电阻式存储器件。1971年，美国加州大学伯克利分校蔡少棠[注]曾预测继电容、电感、电阻之后的第四种基本电路元件，即忆阻器，后来被惠普公司的D.斯鲁科夫[注]等采用阻变材料建构出来，有望用于模拟神经元记忆，及神经元网络计算。忆阻效应是指以阻变材料为基础还可建构易阻器件，即具有记忆功能的非线性电阻器，其电阻大小依赖于所通过的电流量，具类似神经元记忆特征。