位移损伤(displacement damage),理学-物理学-原子核物理学-〔核技术应用〕,器件材料原子被粒子碰撞离开原来位置导致辐射损伤的现象。位移损伤主要是在半导体中产生晶格空位,即原子离开晶格位置后所留下的空位,影响少数载流子寿命及掺杂浓度或载流子迁移率,导致器件电参数特性退化。造成这种损伤的辐射主要是高能量、大质量的粒子流,这些高能粒子可通过弹性碰撞——卢瑟福散射来使晶格母体原子发生位移。对于硅晶体,产生一对间隙原子-空位所需要的平均能量为15~40电子伏。因此能量高于170千电子伏的电子束即可在半导体中产生一系列间隙原子和空位。对位移损伤敏感的器件类型包括运算放大器、电流比较器、脉宽调制器等模拟线性电路及CCD、光电二极管等光电器件。CMOS电路由于依靠多数载流子导电,普遍认为具有较高的抗位移损伤性能。