郑耀宗（Zheng Yaozong），理学-物理学-物理学史，（1939-02-09～ ）中国微电子学专家。籍贯广东中山。生于香港。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。1978年返回香港大学电机电子工程系任教，担任讲座教授及工程学院院长等职。1989年出任香港城市理工学院院长，该校更名为香港城市大学后任首任校长。1996～2000年任香港大学校长。1994年受聘为港事顾问，1995年被委任为香港特别行政区筹备委员会委员。1999年当选为中国科学院学部委员（院士）。郑耀宗长期以来对金属-氧化硅-硅（MOS）及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。他是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。