铝镓砷（aluminum gallium arsenide），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-三元化合物半导体，与砷化镓（GaAs）晶格匹配的固溶体半导体材料。化学式为AlxGa1-xAs，x可取0至1之间的任意组分，相应地，其折射率从3.5～2.9连续可调。闪锌矿结构，常温时其禁带宽度从1.42～2.16电子伏连续可调，对应的波长为872～574纳米。当x≤xc＝0.45时，AlxGa1-xAs是直接带隙半导体材料；x＞xc＝0.45时是间接带隙半导体材料，其中直接带隙禁带宽度与组分满足规律（电子伏）。AlxGa1-xAs材料的制备方法通常采用金属有机化学气相淀积（MOCVD，见金属有机化合物气相外延）和分子束外延（MBE）。铝镓砷与砷化镓（GaAs）晶格匹配，其与GaAs材料形成的GaAs/AlxGa1-xAs异质结构，在光电子与微电子器件中有广泛的应用。