MIS结构指金属-绝缘层-半导体结构 ，是研究半导体表面效应的重要方面。许多半导体器件的特性都和半导体的表面性质有着密切的关系。例如，半导体的表面状态和半导体集成电路的参数和稳定性有很大影响。在某些情况下，往往不是半导体的体内效应，而是其表面效应支配着半导体器件的特性。例如MOS(金属—氧化物—半导体)器件，就是利用半导体表面效应而制成的。因此，研究半导体表面究象，发展有关半导体表面的理论，对MIS结构的研究，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新发器件等都有着十分重要的意义。一个金属-绝缘层-半导体(MIS)结构是一片绝缘层被夹在金属层和半导体层之间。并且，一个MIS结构的直流电导为零。半导体通常在背后有一个欧姆接触。绝缘体通常选择使用其半导体的氧化物。特别的，把二氧化硅做在硅表面上的工艺是非常先进成熟的，由这种氧化物工艺形成的结构，叫做MOS（Metal-oxide-Semiconductor）结构。