磁畴壁内存（domain-wall memory，DWM），一种实验中的非挥发性内存，由IBM所属的阿尔马登研究中心（Almaden Research Center）研发，研发小组由IBM院士斯图尔特·帕金（Stuart Parkin）领导。在2002年开始研发，2008年已做出3位元版本。它的资料储存密度比现有的快闪存储器（flash memory）还高，与现有的硬盘技术接近，可以作为通用型内存（Universal memory）使用。在Racetrack存储技术中，通过一系列的Magnetic Domain-Wall(磁畴壁)的电子自旋方向，磁畴壁是一群自旋方向相同的电子的集合，如图《磁畴壁内存》所示有4个磁畴壁，其中上面的两个和下面左边一个的电子自旋方向相同，而最后一个磁畴壁的电子自旋方向则相反。