特性称峰底(本底)比x射线荧光光谱分析时，所测定的谱峰强度值1,)与背景(本底)强度值(jn)之比，即I If v,峰/背比(P/B):特征X射线的强度与背底强度之比称为峰背比P/B,在进行高精度分析时,希望峰背比P/B高.按照札卢泽克(Zaluzec)理论,探测到的薄膜试样中元素的X 射线强度N 的表示式如下:N=(IσωpN0ρCtΩ)/4επM式中:I--入射电子束强度;σ--离化截面;ω--荧光产额;p--关注的特征X射线产生的比值;N0--阿弗加德罗常数;ρ--密度;C--化学组成(浓度)(质量分数,%);t--试样厚度;Ω--探测立体角;ε--探测器效率;M--相对原子质量.如果加速电压增高,产生的特征X 射线强度稍有下降,但是,来自试样的背底X射线却大大减小,结果峰背比P/B 提高了.