面垒型半导体探测器

面垒型半导体探测器（surface-barrier semiconductor detector），放射医学与防护名词，一种由表面反型层(即P型层)产生的结区形成势垒的半导体探测器。最适于测量低能β粒子和α粒子，常用于测量重带电粒子的能谱。缺点是表面对油渍或杂质的污染敏感，对可见光灵敏，使用它要求避光和环境清 洁。