硒化铅晶体，c周疑表第nl、if族化合物半导体。离子性品体，氯化钠型结构，为复式晶格。硒化铅晶体lcati selenide crystal Yb}c周疑表第nl、if族化合物半导体。离子性品体，氯化钠型结构，为复式晶格。晶格常数U.b122nm.密度8.15g/}m3}熔点IOf}S L。第一布里渊区为截面八角体，电子的横向和纵向有效惯性质量分别为O . D4 ne和f) . 07 rra。为直接带隙平导体，室温禁带宽度0.27e}'，本征载流子浓度3 x lU0zlrra电子和空穴迁移率分别为。.lU2rra}(V}s)和9.3 x 1U一2rr.} I[ V " : y ， 6}xm光的折射率为4.54。采用布里奇曼法、化学淀积法、升华再结品法制备。