载流子浓度分布测量

载流子浓度分布测量（measurement of the carrier concentration and distribution），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体材料性能检测-[电学测量]-载流子浓度分布测量，对体材料、外延材料、异质结结构以及超晶格等半导体材料的载流子浓度及其分布的测量。载流子包括半导体内导电的电子、空穴或离子。载流子浓度分布是半导体器件设计和制造过程中必须严格控制的参数。载流子浓度分布测量方法有扩展电阻法、微分霍尔法、二次离子质谱法、电容电压法、电化学电容电压法等。①扩展电阻法，可以对样品中载流子浓度在深度方向进行线扫描，但该方法对样品准备要求较高，而且很难用于结深和薄膜厚度在100纳米以下的样品的载流子浓度测试。②微分霍尔法，通过反复测试腐蚀前后样品的电阻和面霍尔系数的变化，来获得载流子浓度及迁移率的深度分布，但也很难用于测试较薄的样品（见霍尔效应）。③二次离子质谱法，有较好的分辨率及精确性，但测试设备较昂贵，同时该方法所测出的杂质浓度是样品中元素的总体原子浓度，而不是与载流子浓度对应的电离杂质浓度。