面发射半导体激光器（surface emitting semiconductor laser），工学-光学工程-激光器与激光技术-面发射半导体激光器，谐振腔两端的反射镜以及中间的增益有源区均由半导体材料外延生长构成，激光的出射方向垂直于外延层平面的激光器。概述面发射半导体激光器这一概念是由日本东京工业大学的伊贺健一教授1977年首次提出，并于1979年第一次通过电流注入实现了GaInAsP系列面发射半导体激光器的激光振荡。此后，面发射半导体激光器在世界范围内被广泛研究并应用，应用研究的热点在光通讯，光互联，传感器等方面。基本的面发射半导体激光器结构包括高反射率（大于99%）的上下分布布拉格反射镜（ DBR）、量子阱有源区和金属电极组成。量子阱有源区位于n型掺杂的DBR和p型掺杂的DBR之间。DBR反射镜由高折射率层材料和低折射率材料交替生长而成，每层材料的光学厚度为激光波长的1/4。有源区器件的光学厚度为1/2激光波长的整数倍，以满足谐振条件。面发射半导体激光器具有如下的优点：①极低的阈值电流和工作电流。